品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J352F,LF
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@2A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN340P
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX2301P,215
工作温度:150℃
功率:400mW€2.8W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3423A
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@4.5V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C020TPTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:4.9nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX2301P,215
工作温度:150℃
功率:400mW€2.8W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR020P02HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:4.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C020TPTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:4.9nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J352F,LF
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@2A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX2301P,215
工作温度:150℃
功率:400mW€2.8W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTL020P02FRATR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:4.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR020P02HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:4.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX2301P,215
工作温度:150℃
功率:400mW€2.8W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR020P02HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:4.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3423A
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@4.5V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR020P02HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:4.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN340P
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR020P02HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR020P02HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:4.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX2301P,215
工作温度:150℃
功率:400mW€2.8W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR020P02TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:4.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J352F,LF
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@2A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTL020P02FRATR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:4.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX2301P,215
工作温度:150℃
功率:400mW€2.8W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR020P02HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:4.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR020P02HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:4.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS5U28TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTL020P02FRATR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:4.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J325F,LF
工作温度:150℃
功率:600mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C020TPTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:4.9nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: