采购热线 400-661-9010
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2160UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：627pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3415-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP210DUFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@15V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2160UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：627pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2160UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：627pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMLDM8120G TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP210DUFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@15V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2160UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：627pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP210DUFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@15V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP210DUFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@15V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP210DUFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@15V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP210DUFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@15V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP210DUFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@15V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMLDM8120G TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP210DUFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@15V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO7413
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：113mΩ@1.4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMLDM8120G TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2160UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：627pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2321-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2.2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
