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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD9210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.9nC@10V
包装方式：散装
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@240mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：10+
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD9210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.9nC@10V
包装方式：散装
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@240mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3355-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：散装
输入电容：172pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：156mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD9210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.9nC@10V
包装方式：散装
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@240mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：IRFD9210PBF
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功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.9nC@10V
包装方式：散装
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
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漏源电压：200V
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分类：Mosfet场效应管
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类型：P沟道
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功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.9nC@10V
包装方式：散装
输入电容：170pF@25V
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类型：P沟道
导通电阻：3Ω@240mA，10V
漏源电压：200V
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生产批次：10+
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功率：1W
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包装方式：散装
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类型：P沟道
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漏源电压：200V
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功率：1W
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导通电阻：3Ω@240mA，10V
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连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
功率：1W
包装方式：散装
漏源电压：200V
栅极电荷：8.9nC@10V
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生产批次：10+
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类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
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输入电容：170pF@25V
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连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
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类型：P沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CPH3355-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：散装
输入电容：172pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：156mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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生产批次：10+
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功率：1W
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漏源电压：200V
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类型：P沟道
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行业应用：工业,汽车
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类型：P沟道
导通电阻：3Ω@240mA，10V
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行业应用：工业,汽车
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类型：P沟道
导通电阻：3Ω@240mA，10V
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导通电阻：3Ω@240mA，10V
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