品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSL020P03FRATR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3007SCGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2826pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J374R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@100µA
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:71mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3018SFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2147pF@15V
连续漏极电流:11A€35A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E025ATTCL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:91mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPC8129,LQ(S
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@200µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSL020P03FRATR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:3.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3018SFVQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2147pF@15V
连续漏极电流:11A€35A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3018SFK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4414pF@15V
连续漏极电流:10.2A
类型:P沟道
导通电阻:14.5mΩ@9.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRR040P03TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPC8125,LQ(S
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@500µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2580pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR015P03TL
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:235mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E035ATTCL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRL035P03FRATR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRR040P03TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3018SFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2147pF@15V
连续漏极电流:11A€35A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3007SCGQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2826pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSL020P03FRATR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSL020P03FRATR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E035ATTCL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPC8125,LQ(S
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@500µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2580pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPC8125,LQ(S
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@500µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2580pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRL025P03FRATR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J374R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@100µA
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:71mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR015P03TL
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:235mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J374R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@100µA
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:71mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRL035P03FRATR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR025P03TL
工作温度:150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:98mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRL035P03FRATR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J332R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: