品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2337ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@40V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:290mΩ@1.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3453DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:165mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT456P
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
输入电容:1440pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@20V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:94mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT2955
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:601pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT2955
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:601pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
导通电阻:74mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
导通电阻:74mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT2955
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:601pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT2955
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:601pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2337ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:290mΩ@1A,4.5V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL9P3LLH6
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2615pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1L151ATTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@30V
连续漏极电流:56A
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@10V
连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1L151ATTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@30V
连续漏极电流:56A
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1L151ATTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@30V
连续漏极电流:56A
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT2955
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:601pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2325ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@50V
连续漏极电流:840mA
类型:P沟道
导通电阻:1.77Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@20V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:94mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@10V
连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@10V
连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT458P
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2325ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@50V
连续漏极电流:840mA
类型:P沟道
导通电阻:1.77Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT458P
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3453DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:165mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1L151ATTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@30V
连续漏极电流:56A
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2337ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:290mΩ@1A,4.5V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT458P
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT458P
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E260ATTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7850pF@15V
连续漏极电流:26A€80A
类型:P沟道
导通电阻:3.1mΩ@26A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: