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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3552DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：105mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3552DV-T1-GE3
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连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
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连续漏极电流：2.5A
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连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：105mΩ@2.5A，10V
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功率：1.15W
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连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3552DV-T1-GE3
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功率：1.15W
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：105mΩ@2.5A，10V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TT8M1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：SI3552DV-T1-E3
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连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：105mΩ@2.5A，10V
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连续漏极电流：2.5A
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规格型号(MPN)：SI3552DV-T1-E3
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功率：1.15W
阈值电压：1V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：105mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
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工作温度：150℃
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输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TT8M1TR
工作温度：150℃
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输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：TT8M1TR
工作温度：150℃
功率：1W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3552DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：105mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8M1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3552DV-T1-E3
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阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：105mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3552DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：105mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3552DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：105mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3552DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：105mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3552DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：105mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3552DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：105mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3552DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：105mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：2822，"08+"：2980，"09+"：39110}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJD2105LTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
