采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：6000，"15+"：1695}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSD816SNH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@3.7µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1317DL-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：272pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS316NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@3.7µA
栅极电荷：0.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：94pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1317DL-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：272pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS316NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@3.7µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：94pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS816NWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@3.7µA
栅极电荷：0.6nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS351AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：145pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1317DL-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：272pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN361BN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1317DL-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：272pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1317DL-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：272pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS316NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@3.7µA
栅极电荷：0.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：94pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1317DL-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：272pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K56ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J56ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS816NWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@3.7µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS316NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@3.7µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：94pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS316NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@3.7µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：94pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1317DL-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：272pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSD316SNH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@3.7µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：94pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS316NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@3.7µA
栅极电荷：0.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：94pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS316NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@3.7µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：94pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J56ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS816NWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@3.7µA
栅极电荷：0.6nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS316NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@3.7µA
栅极电荷：0.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：94pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J56ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS816NWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@3.7µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSD316SNH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@3.7µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：94pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J207FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：137pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：251mΩ@650mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS316NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@3.7µA
栅极电荷：0.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：94pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
