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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8806DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2075UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2075UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2075UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2075UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2075UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUD3A50PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8806DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2075UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2075UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUD3A50PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2075UDW-7
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功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2075UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTLUD3A50PZTAG
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功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI8806DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2075UDW-7
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功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
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输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTLUD3A50PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8806DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2075UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8806DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8806DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2075UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUD3A50PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8806DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUD3A50PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2075UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUD3A50PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8806DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8806DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8806DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
