品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3060LW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
输入电容:395pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D4LFB-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@10V
输入电容:40pF@30V
连续漏极电流:407mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω
漏源电压:65V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3071LFR4-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:4.5nC@10V
输入电容:190pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3060LW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
输入电容:395pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D4LFB-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@10V
输入电容:40pF@30V
连续漏极电流:407mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω
漏源电压:65V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3071LFR4-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:4.5nC@10V
输入电容:190pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3060LW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
输入电容:395pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3060LW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
输入电容:395pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP68D0LFB-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:4.1nC@5V
输入电容:36pF@30V
连续漏极电流:192mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@100mA,5V
漏源电压:65V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D4LFB-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@10V
输入电容:40pF@30V
连续漏极电流:407mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω
漏源电压:65V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP68D0LFB-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:4.1nC@5V
输入电容:36pF@30V
连续漏极电流:192mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@100mA,5V
漏源电压:65V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3060LWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
输入电容:395pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3071LFR4-7R
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:4.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3060LWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
输入电容:395pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3060LW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
输入电容:395pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3060LWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
输入电容:395pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3060LW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
输入电容:395pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3060LWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
输入电容:395pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP68D0LFB-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:4.1nC@5V
输入电容:36pF@30V
连续漏极电流:192mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@100mA,5V
漏源电压:65V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP68D0LFB-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:4.1nC@5V
输入电容:36pF@30V
连续漏极电流:192mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@100mA,5V
漏源电压:65V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D4LFB-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@10V
输入电容:40pF@30V
连续漏极电流:407mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω
漏源电压:65V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3071LFR4-7R
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:4.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D4LFB-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.1nC@10V
输入电容:40pF@30V
连续漏极电流:407mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω
漏源电压:65V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3060LW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
输入电容:395pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3071LFR4-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:4.5nC@10V
输入电容:190pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3060LW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
输入电容:395pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3071LFR4-7R
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:4.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: