采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0620N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2540N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：175mA
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@500mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7008-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2535N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2540N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2410L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0610N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@750mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN1206L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN3205N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@10mA
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@3A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2535N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2535N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10KN3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN3205N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@10mA
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@3A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0610N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@750mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0104N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@500µA
包装方式：袋
输入电容：70pF@20V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0702N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：200pF@20V
连续漏极电流：530mA
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@500mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0620N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0702N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：袋
输入电容：200pF@20V
连续漏极电流：530mA
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@500mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0702N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：袋
输入电容：200pF@20V
连续漏极电流：530mA
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@500mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0620N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7008-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
