采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9N65M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9N65M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIB5N65APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1417pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：930mΩ@3.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9N65M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU7N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：270pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU7N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：270pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU7N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：270pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIB5N65APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1417pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：930mΩ@3.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9N65M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9N65M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@170µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@2.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6515ENXC7G
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@430µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：910pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：315mΩ@6.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9N65M2
工作温度：150℃
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
功率：60W
漏源电压：650V
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
输入电容：315pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@180µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@300V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@2.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6515ENXC7G
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@430µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：910pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：315mΩ@6.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6515ENXC7G
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@430µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：910pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：315mΩ@6.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU7N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：270pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU7N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：270pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9N65M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@170µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@2.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@170µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@2.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP7N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：270pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU7N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：270pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@170µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@2.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@170µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@2.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9N65M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@170µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@2.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@180µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@300V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@2.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@180µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@300V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@2.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
