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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P80E，RQ
功率：80W
阈值电压：4V@300μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.9Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P80E，RQ
功率：80W
阈值电压：4V@300μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.9Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK3P80E，RQ
功率：80W
阈值电压：4V@300μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.9Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
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功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
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输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK3P80E，RQ
功率：80W
阈值电压：4V@300μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.9Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
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工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
阈值电压：4V@200µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：900V
输入电容：500pF@25V
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
栅极电荷：12nC@10V
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
功率：80W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P80E，RQ
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：4.9Ω@1.5A，10V
功率：80W
输入电容：500pF@25V
类型：1个N沟道
阈值电压：4V@300μA
漏源电压：800V
栅极电荷：12nC@10V
连续漏极电流：3A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
阈值电压：4V@200µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：900V
输入电容：500pF@25V
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
栅极电荷：12nC@10V
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
功率：80W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
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