采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P80E，RQ
功率：80W
阈值电压：4V@300μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.9Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P80E，RQ
功率：80W
阈值电压：4V@300μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.9Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P80E，RQ
功率：80W
阈值电压：4V@300μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.9Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：239，"11+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6212-40C，118
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.9nC@10V
输入电容：1.9nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P80E，RQ
功率：80W
阈值电压：4V@300μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.9Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRF6N60
功率：80W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：5.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.7Ω@10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P80E，RQ
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：4.9Ω@1.5A，10V
功率：80W
输入电容：500pF@25V
类型：1个N沟道
阈值电压：4V@300μA
漏源电压：800V
栅极电荷：12nC@10V
连续漏极电流：3A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：17A€94A
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
输入电容：2.525nF@15V
工作温度：-55℃~+175℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：17A€94A
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
输入电容：2.525nF@15V
工作温度：-55℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：17A€94A
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
输入电容：2.525nF@15V
工作温度：-55℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
