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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8876
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：70W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700 pF @ 15 V
连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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功率：70W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
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类型：N 通道
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类型：N 通道
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类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
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类型：N 通道
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连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）
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栅极电荷：47 nC @ 10 V
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输入电容：1700 pF @ 15 V
连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
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功率：70W（Tc）
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ECCN：EAR99
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700 pF @ 15 V
连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：30V
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功率：70W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700 pF @ 15 V
连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：30V
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功率：70W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
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栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700 pF @ 15 V
连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：30V
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工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：70W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700 pF @ 15 V
连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8876
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700 pF @ 15 V
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V @ 250µA
连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）
类型：N 通道
栅极电荷：47 nC @ 10 V
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
功率：70W（Tc）
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8876
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700 pF @ 15 V
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V @ 250µA
连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）
类型：N 通道
栅极电荷：47 nC @ 10 V
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
ECCN：EAR99
功率：70W（Tc）
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL11N65M5
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：70W（Tc）
阈值电压：5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：644 pF @ 100 V
连续漏极电流：8.5A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：530 毫欧 @ 4.25A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL11N65M5
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：70W（Tc）
阈值电压：5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：644 pF @ 100 V
连续漏极电流：8.5A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：530 毫欧 @ 4.25A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL11N65M5
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：70W（Tc）
阈值电压：5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：644 pF @ 100 V
连续漏极电流：8.5A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：530 毫欧 @ 4.25A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL11N65M5
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：70W（Tc）
阈值电压：5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：644 pF @ 100 V
连续漏极电流：8.5A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：530 毫欧 @ 4.25A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：70W（Tc）
阈值电压：5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：644 pF @ 100 V
连续漏极电流：8.5A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：530 毫欧 @ 4.25A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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