采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005DLP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005DLP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2005DLP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2005DLP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2005DLP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005DLP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP232N0301TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP262N7002TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@20V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP264N0301TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@20V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005DLP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：XP232N0301TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005DLP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
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品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：XP262N7002TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@20V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：XP232N0301TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP232N0301TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2005DLP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005DLP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005DLP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP264N0301TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：2.1V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@20V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP262N7002TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.72nC@10V
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输入电容：30pF@20V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP262N7002TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：2.1V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@20V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005DLP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP262N7002TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@20V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005DLP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005DLP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP262N7002TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@20V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP262N7002TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@20V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP264N0301TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@20V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP232N0301TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP232N0301TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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