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    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKSX 起订8个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKSX 起订8个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX138BKSX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTB143ETVL 起订14881个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTB143ETVL 起订14881个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"17+":37520}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):60@50mA,5V

    集电极电流(Ic):500mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:140MHz

    功率:320mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTF016N05TL 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTF016N05TL 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTF016N05TL

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 US6J11TR 起订15个装
    ROHM Mosfet场效应管 US6J11TR 起订15个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):US6J11TR

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:260mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDW-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDW-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUF020N02TL 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUF020N02TL 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUF020N02TL

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKSX 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKSX 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX138BKSX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUL035N02TR 起订8个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUL035N02TR 起订8个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUL035N02TR

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:5.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2710UTQ-7 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2710UTQ-7 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2710UTQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:42pF@16V

    连续漏极电流:870mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2990UFZ-7B 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2990UFZ-7B 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2990UFZ-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55.2pF@16V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKSX 起订9961个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKSX 起订9961个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":1930,"23+":57960}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX138BKSX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8LW-13 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8LW-13 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN67D8LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:240mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUL035N02TR 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUL035N02TR 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUL035N02TR

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUF020N02TL 起订8个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUF020N02TL 起订8个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUF020N02TL

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUF020N02TL 起订8个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUF020N02TL 起订8个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUF020N02TL

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG301NU-13 起订23个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG301NU-13 起订23个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG301NU-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.36nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.9pF@10V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUF020N02TL 起订8个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUF020N02TL 起订8个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUF020N02TL

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRF015P03TL 起订18个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRF015P03TL 起订18个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRF015P03TL

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTD114ETR 起订1个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTD114ETR 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V

    集电极电流(Ic):500mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:225MHz

    功率:320mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDWQ-7 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDWQ-7 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3190LDWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:190mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D6UT-7 起订48个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D6UT-7 起订48个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D6UT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13.6pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG302PU-13 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG302PU-13 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG302PU-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.2pF@10V

    连续漏极电流:170mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 T2N7002BK,LM 起订480个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 T2N7002BK,LM 起订480个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):T2N7002BK,LM

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP510DLW-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP510DLW-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP510DLW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:0.56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.6pF@25V

    连续漏极电流:174mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UW-7 起订59个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UW-7 起订59个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDWQ-7 起订34个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDWQ-7 起订34个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3190LDWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:190mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UWQ-7 起订35个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UWQ-7 起订35个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTB114ETR 起订3000个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTB114ETR 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V

    集电极电流(Ic):500mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:140MHz

    功率:320mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3190LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:190mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG301NU-7 起订90个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG301NU-7 起订90个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG301NU-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.36nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@10V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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