销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz,140MHz
功率:290mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D7LW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:2.6V@250μA
栅极电荷:360pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@15V
连续漏极电流:380mA
类型:1个P沟道
导通电阻:900mΩ@420mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz,140MHz
功率:290mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWS-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@25V
连续漏极电流:247mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.74nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3401LDW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:1.2nC@10V
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:800mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3401LDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1.6V@250µA€2.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V€19pF@15V
连续漏极电流:800mA€550mA
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3401LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:400mΩ@590mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2710UDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@16V€49pF@16V
连续漏极电流:750mA€600mA
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2710UDWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@16V€49pF@16V
连续漏极电流:750mA€600mA
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@8V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4173PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:10.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:1.2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3401LDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1.6V@250µA€2.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V€19pF@15V
连续漏极电流:800mA€550mA
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧,47千欧
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧,10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:290mW
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D7LW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:2.6V@250μA
栅极电荷:360pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@15V
连续漏极电流:380mA
类型:1个P沟道
导通电阻:900mΩ@420mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3401LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:400mΩ@590mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4173PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:1.2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2710UDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@16V€49pF@16V
连续漏极电流:750mA€600mA
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.74nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3401LDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1.6V@250µA€2.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V€19pF@15V
连续漏极电流:800mA€550mA
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.74nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.74nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3401LDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1.6V@250µA€2.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V€19pF@15V
连续漏极电流:800mA€550mA
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.74nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D7LW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:2.6V@250μA
栅极电荷:360pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@15V
连续漏极电流:380mA
类型:1个P沟道
导通电阻:900mΩ@420mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4173PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:1.2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3401LDW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:1.2nC@10V
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:800mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3401LDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1.6V@250µA€2.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V€19pF@15V
连续漏极电流:800mA€550mA
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.74nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: