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    NEXPERIA 数字晶体管 PIMC32-QX 起订5个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PIMC32-QX 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:10千欧

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V

    集电极电流(Ic):500mA

    输入电阻:2.2千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:225MHz,140MHz

    功率:290mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D7LW-13 起订55个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D7LW-13 起订55个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP31D7LW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:2.6V@250μA

    栅极电荷:360pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:19pF@15V

    连续漏极电流:380mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:900mΩ@420mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PIMC32-QX 起订5个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PIMC32-QX 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 2.5mA,50mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:10千欧

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V

    集电极电流(Ic):500mA

    输入电阻:2.2千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:225MHz,140MHz

    功率:290mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002DWS-7 起订33个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002DWS-7 起订33个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DWS-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:41pF@25V

    连续漏极电流:247mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310UT-13 起订29个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310UT-13 起订29个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310UT-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:240mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7 起订95个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7 起订95个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-13 起订37个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-13 起订37个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3401LDW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@10V

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3401LDW-13 起订37个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3401LDW-13 起订37个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3401LDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.6V@250µA€2.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V€19pF@15V

    连续漏极电流:800mA€550mA

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-7 起订24个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-7 起订24个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3401LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:400mΩ@590mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2710UDW-7 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2710UDW-7 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2710UDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@16V€49pF@16V

    连续漏极电流:750mA€600mA

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2710UDWQ-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2710UDWQ-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2710UDWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@16V€49pF@16V

    连续漏极电流:750mA€600mA

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订31个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订31个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@8V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4173PT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4173PT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4173PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:10.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@15V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3401LDW-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3401LDW-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3401LDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.6V@250µA€2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V€19pF@15V

    连续漏极电流:800mA€550mA

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES 数字晶体管 UMC4NQ-7 起订26个装
    DIODES 数字晶体管 UMC4NQ-7 起订26个装

    品牌:DIODES

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:47千欧,47千欧

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47千欧,10千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:250MHz

    功率:290mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D7LW-13 起订42个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D7LW-13 起订42个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP31D7LW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:2.6V@250μA

    栅极电荷:360pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:19pF@15V

    连续漏极电流:380mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:900mΩ@420mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3401LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:400mΩ@590mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4173PT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4173PT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4173PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@15V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2710UDW-13 起订34个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2710UDW-13 起订34个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2710UDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@16V€49pF@16V

    连续漏极电流:750mA€600mA

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7 起订15000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7 起订15000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3401LDW-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3401LDW-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3401LDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.6V@250µA€2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V€19pF@15V

    连续漏极电流:800mA€550mA

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3401LDW-13 起订20000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3401LDW-13 起订20000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3401LDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.6V@250µA€2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V€19pF@15V

    连续漏极电流:800mA€550mA

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7 起订2394000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7 起订2394000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D7LW-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D7LW-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP31D7LW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:2.6V@250μA

    栅极电荷:360pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:19pF@15V

    连续漏极电流:380mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:900mΩ@420mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4173PT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4173PT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4173PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@15V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-13 起订31个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-13 起订31个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3401LDW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@10V

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMC3401LDW-13 起订31个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3401LDW-13 起订31个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3401LDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.6V@250µA€2.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V€19pF@15V

    连续漏极电流:800mA€550mA

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7 起订30000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7 起订30000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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