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    INFINEON Mosfet场效应管 IPU50R950CEAKMA1 起订2084个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU50R950CEAKMA1 起订2084个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":146849,"16+":16500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPU50R950CEAKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:53W

    阈值电压:3.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:231pF@100V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@1.2A,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7K8R7-40EX 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7K8R7-40EX 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7K8R7-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1439pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R950CEAUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R950CEAUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R950CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:53W

    阈值电压:3.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:231pF@100V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@1.2A,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7415AENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280P7S 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280P7S 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R280P7S

    功率:53W

    阈值电压:4V@190μA

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:280mΩ@10V,3.8A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP20N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280P7SAUMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280P7SAUMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R280P7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@190µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:761pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R950CEAUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R950CEAUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R950CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:53W

    阈值电压:3.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:231pF@100V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@1.2A,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30E06N1,S1X 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30E06N1,S1X 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK30E06N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1050pF@30V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280P7SAUMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280P7SAUMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R280P7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@190µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:761pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06L 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06L 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2150

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP20N06L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:630pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415CENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415CENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7415CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280P7ATMA1 起订523个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280P7ATMA1 起订523个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":554,"19+":2500,"MI+":681}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R280P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@190µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:761pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU50R950CEAKMA2 起订2084个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU50R950CEAKMA2 起订2084个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":235740,"15+":21000,"16+":1500,"MI+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPU50R950CEAKMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:53W

    阈值电压:3.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:231pF@100V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@1.2A,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2104

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP20N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AEN-T1_BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AEN-T1_BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7415AEN-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7415AENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AEN-T1_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AEN-T1_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7415AEN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415CENW-T1_GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415CENW-T1_GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7415CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS70R1K4CEAKMA1 起订1194个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS70R1K4CEAKMA1 起订1194个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":221891,"18+":1258,"MI+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPS70R1K4CEAKMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:53W

    阈值电压:3.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:225pF@100V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415CENW-T1_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415CENW-T1_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7415CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K17-60E,115 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K17-60E,115 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K17-60E,115

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:53W

    阈值电压:1.7V@1mA

    栅极电荷:16.5nC@5V

    输入电容:1.667nF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:91pF@25V

    导通电阻:14mΩ@5V,10A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280P7SAUMA1 起订712个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280P7SAUMA1 起订712个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":653850,"MI+":12500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R280P7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@190µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:761pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AEN-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AEN-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7415AEN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:21+

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP20N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2104

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP20N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70R1K4CEAUMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70R1K4CEAUMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70R1K4CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:53W

    阈值电压:3.5V@130µA

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@100V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7K45-100EX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7K45-100EX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7K45-100EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1533pF@25V

    连续漏极电流:21.4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:37.6mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280P7SAUMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R280P7SAUMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R280P7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@190µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:761pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7K17-60EX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7K17-60EX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7K17-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1578pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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