销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR872ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：4.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：47nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1286pF@75V

连续漏极电流：53.7A

类型：N沟道

导通电阻：18mΩ@20A，10V

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2V@250µA

栅极电荷：153nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10180pF@15V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.8mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR872ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：4.5V@250µA

栅极电荷：47nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1286pF@75V

连续漏极电流：53.7A

类型：N沟道

导通电阻：18mΩ@20A，10V

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR870ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：80nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2866pF@50V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：6.6mΩ@20A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP6N40D-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：18nC@10V

包装方式：管件

输入电容：311pF@100V

连续漏极电流：6A

类型：N沟道

导通电阻：1Ω@3A，10V

漏源电压：400V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：3.4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：78nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5130pF@30V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：1.7mΩ@20A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：514，"15+"：500，"16+"：6000，"17+"：3218，"18+"：19500，"19+"：5500，"9999"：350，"MI+"：1000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP50R299CPXKSA1

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：3.5V@440µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：31nC@10V

包装方式：管件

输入电容：1190pF@100V

连续漏极电流：12A

类型：N沟道

导通电阻：299mΩ@6.6A，10V

漏源电压：550V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMS86500L

工作温度：-55℃~+150℃

功率：104W

阈值电压：1V

栅极电荷：165nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：2.5mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：48nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1805pF@75V

连续漏极电流：37A

类型：P沟道

导通电阻：47.5mΩ@10A，10V

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR870ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：80nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2866pF@50V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：6.6mΩ@20A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR638DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：204nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10500pF@20V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IMZA65R083M1HXKSA1

工作温度：-55℃~175℃

功率：104W

阈值电压：5.7V@3.3mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：19nC@18V

包装方式：管件

输入电容：624pF@400V

连续漏极电流：26A

类型：N沟道

导通电阻：111mΩ@11.2A，18V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：30nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1405pF@125V

连续漏极电流：24.2A

类型：N沟道

导通电阻：63mΩ@10A，10V

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：153nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10180pF@15V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.8mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR610DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：38nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1380pF@100V

连续漏极电流：35.4A

类型：N沟道

导通电阻：31.9mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMS86500L

工作温度：-55℃~+150℃

功率：104W

阈值电压：1V

栅极电荷：165nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：2.5mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2V@250µA

栅极电荷：153nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10180pF@15V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.8mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMS86500L

工作温度：-55℃~+150℃

功率：104W

阈值电压：1V

栅极电荷：165nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：2.5mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：4.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：38nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1410pF@75V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：11.5mΩ@20A，10V

漏源电压：125V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：4.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：38nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1410pF@75V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：11.5mΩ@20A，10V

漏源电压：125V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：3.4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：78nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5130pF@30V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：1.7mΩ@20A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：48nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1805pF@75V

连续漏极电流：37A

类型：P沟道

导通电阻：47.5mΩ@10A，10V

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：3.4V@250µA

栅极电荷：78nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5130pF@30V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：1.7mΩ@20A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SPP08N80C3XKSA1

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：3.9V@470µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：60nC@10V

包装方式：管件

输入电容：1100pF@100V

连续漏极电流：8A

类型：N沟道

导通电阻：650mΩ@5.1A，10V

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR610DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：38nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1380pF@100V

连续漏极电流：35.4A

类型：N沟道

导通电阻：31.9mΩ@10A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR638DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：204nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10500pF@20V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：AOD600A70R

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：15.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：950pF@100V

连续漏极电流：8.5A

类型：N沟道

导通电阻：600mΩ@2.5A，10V

漏源电压：700V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG

工作温度：150℃

功率：104W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：28nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1680pF@25V

连续漏极电流：34A

类型：N沟道

导通电阻：23mΩ@20A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：30nC@7.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1405pF@125V

连续漏极电流：24.2A

类型：N沟道

导通电阻：63mΩ@10A，10V

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：104W

阈值电压：4.5V@250µA

栅极电荷：38nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1410pF@75V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：11.5mΩ@20A，10V

漏源电压：125V

包装清单：商品主体 * 1