采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVDD5894NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2103pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVDD5894NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2103pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3021-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：2.106nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
反向传输电容：274pF@15V
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3021-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：2.106nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
反向传输电容：274pF@15V
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA10BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：24.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：26A
类型：MOSFET
导通电阻：3.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3021-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：2.106nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
反向传输电容：274pF@15V
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA10BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：24.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：26A
类型：MOSFET
导通电阻：3.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA10BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：24.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：26A
类型：MOSFET
导通电阻：3.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVDD5894NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2103pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVDD5894NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2103pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVDD5894NLT4G
功率：3.8W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：14A
导通电阻：10mΩ@50A，10V
输入电容：2103pF@25V
类型：2N沟道（双）共漏
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA10BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：24.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：26A
类型：MOSFET
导通电阻：3.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVDD5894NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2103pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3021-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：2.106nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
反向传输电容：274pF@15V
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVDD5894NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2103pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVDD5894NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2103pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3021-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：2.106nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
反向传输电容：274pF@15V
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
