采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R5-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4461pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S2L07ATMA3
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：2V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3160pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@60A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S2L07ATMA3
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：2V@150µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3160pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@60A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STHU36N60DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S2L07ATMA3
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：2V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3160pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@60A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S2L07ATMA3
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：2V@150µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3160pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@60A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S2L07ATMA3
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：2V@150µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3160pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@60A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R5-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4461pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB37N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S2L07ATMA3
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：2V@150µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3160pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@60A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB45N65M5
工作温度：150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3375pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@19.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFS6535TRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：5V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@11A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB37N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R5-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4461pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R5-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4461pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R5-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4461pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R5-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4461pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R5-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4461pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB37N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S2L07ATMA3
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：2V@150µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3160pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@60A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFS6535TRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：5V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@11A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB45N65M5
工作温度：150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3375pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@19.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
