采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKXBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：285mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：260mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCXB1000UEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：285mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@15V€43.2pF@15V
连续漏极电流：590mA€410mA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKXBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：285mW
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：260mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：5000，"17+"：5000，"18+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDXB1200UPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：285mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDXB1200UPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：285mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N7002KFU，LXH
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N35AFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N35AFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKXBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：285mW
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：260mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P35AFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKXBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：285mW
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：260mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N35AFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N7002KFU，LXH
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N7002KFU，LXH
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N35AFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDXB550UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：285mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@15V
连续漏极电流：590mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：670mΩ@590mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCXB1000UEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：285mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@15V€43.2pF@15V
连续漏极电流：590mA€410mA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCXB1000UEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：285mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@15V€43.2pF@15V
连续漏极电流：590mA€410mA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDXB550UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：285mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@15V
连续漏极电流：590mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：670mΩ@590mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDXB550UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：285mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@15V
连续漏极电流：590mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：670mΩ@590mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N7002KFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N35AFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKXBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：285mW
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：260mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCXB1000UEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：285mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@15V€43.2pF@15V
连续漏极电流：590mA€410mA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDXB1200UPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：285mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDXB550UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：285mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@15V
连续漏极电流：590mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：670mΩ@590mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N7002CFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCXB1000UEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：285mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@15V€43.2pF@15V
连续漏极电流：590mA€410mA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P35AFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N7002CFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
