品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB035N10A
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7295pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86563-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:163nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-55YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11353pF@27V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86563-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:163nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-55YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11353pF@27V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP075N15A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7350pF@75V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@100A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB075N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7350pF@75V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@100A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP036N10A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7.295nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB035N10A
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7295pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":1183}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK752R3-40C,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11323pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1404PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:196nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5669pF@25V
连续漏极电流:202A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@121A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB035N10A
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7295pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP020N06B-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:268nC@10V
包装方式:管件
输入电容:20.93nF@30V
连续漏极电流:313A
类型:1个N沟道
反向传输电容:127pF@30V
导通电阻:1.65mΩ@10V,100A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4550,"22+":101272,"23+":11896,"24+":4377,"32+":306}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1404PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:196nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5669pF@25V
连续漏极电流:202A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@121A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB075N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7350pF@75V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@100A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF1404
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:196nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5669pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@121A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR90-40YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.05V@1mA
栅极电荷:168nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12673pF@20V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.94mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR90-40YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.05V@1mA
栅极电荷:168nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12673pF@20V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.94mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1404PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:196nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5669pF@25V
连续漏极电流:202A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@121A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR90-40YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.05V@1mA
栅极电荷:168nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12673pF@20V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.94mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP036N10A
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:116nC@10V
输入电容:7295pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1404PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:196nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5669pF@25V
连续漏极电流:202A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@121A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R0-40YSHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9433pF@20V
连续漏极电流:290A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB9403-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:213nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12700pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR51-25YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.2V@2mA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6990pF@12V
连续漏极电流:380A
类型:N沟道
导通电阻:0.57mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R40MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.69V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@15V
包装方式:管件
输入电容:2929pF@800V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@35A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1404PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:196nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5669pF@25V
连续漏极电流:202A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@121A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR90-40YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.05V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12673pF@20V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.94mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB035N10A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4V
栅极电荷:89nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:214A
类型:MOSFET
导通电阻:3mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR90-40YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.05V@1mA
栅极电荷:168nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12673pF@20V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.94mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: