品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R150G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:4V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:902pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN020-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2210pF@50V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:20.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":2965,"17+":6400,"18+":79000,"MI+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP380N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1665pF@25V
连续漏极电流:10.2A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R150G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:4V@260µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:902pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":60000,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R6-30MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2369pF@15V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R4-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:31.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2256pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":2965,"17+":6400,"18+":79000,"MI+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP380N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1665pF@25V
连续漏极电流:10.2A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R6-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2435pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":2965,"17+":6400,"18+":79000,"MI+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP380N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1665pF@25V
连续漏极电流:10.2A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-25MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3167pF@12V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.81mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y19-75B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3096pF@25V
连续漏极电流:48.2A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":156,"20+":13600,"MI+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7660-100A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1377pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":68398,"22+":1006,"23+":2000,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R150G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:4V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:902pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@30V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R150G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:4V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:902pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R4-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2256pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R6-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2435pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R8-30MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3125pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@30V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R150G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:4V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:902pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-25MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3167pF@12V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.81mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@30V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R8-30MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3125pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-25MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3167pF@12V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.81mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R150G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:4V@260µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:902pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y19-75B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3096pF@25V
连续漏极电流:48.2A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":2965,"17+":6400,"18+":79000,"MI+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP380N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1665pF@25V
连续漏极电流:10.2A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: