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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN3R2-100CBEAZ
工作温度：-40℃~150℃
功率：394W
阈值电压：2.5V@9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ148ER-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：394W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：102nC@10V
输入电容：5.75nF@25V
连续漏极电流：372A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJQ148ER-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
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阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：102nC@10V
输入电容：5.75nF@25V
连续漏极电流：372A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
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连续漏极电流：372A
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功率：394W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：102nC@10V
输入电容：5.75nF@25V
连续漏极电流：372A
类型：1个N沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：GAN3R2-100CBEAZ
工作温度：-40℃~150℃
功率：394W
阈值电压：2.5V@9mA
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，5V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJQ148ER-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：394W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：102nC@10V
输入电容：5.75nF@25V
连续漏极电流：372A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：GAN3R2-100CBEAZ
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功率：394W
阈值电压：2.5V@9mA
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，5V
漏源电压：100V
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栅极电荷：12nC@5V
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输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，5V
漏源电压：100V
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功率：394W
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栅极电荷：12nC@5V
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输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，5V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：GAN3R2-100CBEAZ
工作温度：-40℃~150℃
功率：394W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
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输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，5V
漏源电压：100V
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：60A
类型：N沟道
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ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
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连续漏极电流：60A
类型：N沟道
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连续漏极电流：60A
类型：N沟道
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJQ148ER-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
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阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：102nC@10V
输入电容：5.75nF@25V
连续漏极电流：372A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJQ148ER-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：394W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：102nC@10V
输入电容：5.75nF@25V
连续漏极电流：372A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJQ148ER-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：394W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：102nC@10V
输入电容：5.75nF@25V
连续漏极电流：372A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN3R2-100CBEAZ
工作温度：-40℃~150℃
功率：394W
阈值电压：2.5V@9mA
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ148ER-T1_GE3
连续漏极电流：372A
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
工作温度：-55℃~+175℃
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
阈值电压：3.5V@250μA
功率：394W
输入电容：5.75nF@25V
栅极电荷：102nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN3R2-100CBEAZ
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，5V
功率：394W
阈值电压：2.5V@9mA
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：60A
栅极电荷：12nC@5V
工作温度：-40℃~150℃
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN3R2-100CBEAZ
工作温度：-40℃~150℃
功率：394W
阈值电压：2.5V@9mA
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，5V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：GAN3R2-100CBEAZ
工作温度：-40℃~150℃
功率：394W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
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类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：GAN3R2-100CBEAZ
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功率：394W
阈值电压：2.5V@9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
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输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，5V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：GAN3R2-100CBEAZ
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功率：394W
阈值电压：2.5V@9mA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@50V
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类型：N沟道
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漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：GAN3R2-100CBEAZ
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输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：GAN3R2-100CBEAZ
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，5V
功率：394W
阈值电压：2.5V@9mA
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：60A
栅极电荷：12nC@5V
工作温度：-40℃~150℃
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN3R2-100CBEAZ
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，5V
功率：394W
阈值电压：2.5V@9mA
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：60A
栅极电荷：12nC@5V
工作温度：-40℃~150℃
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN3R2-100CBEAZ
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，5V
功率：394W
阈值电压：2.5V@9mA
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：60A
栅极电荷：12nC@5V
工作温度：-40℃~150℃
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包装清单：商品主体 * 1
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