品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA462DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA440DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA437DJ-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@10V
连续漏极电流:29.7A
类型:P沟道
导通电阻:14.5mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA416DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@50V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:83mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA449DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2140pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA433EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:75nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@7.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA446DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@75V
连续漏极电流:7.7A
类型:N沟道
导通电阻:177mΩ@3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA427DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA413DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA413DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA440DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:21.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA431DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:850mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA416DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@50V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:83mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA456DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@750mA,4.5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA445EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:16.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA106DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@30V
连续漏极电流:10A€12A
类型:N沟道
导通电阻:18.5mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA445EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:16.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA416DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@50V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:83mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA456DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@750mA,4.5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA431DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:850mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA106DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@30V
连续漏极电流:10A€12A
类型:N沟道
导通电阻:18.5mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA421DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA445EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:16.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA436DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:25.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1508pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@15.7A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA421DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA456DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@750mA,4.5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA433EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:75nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@7.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA414DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA431DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:850mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA449DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2140pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: