品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@15V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@15V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@15V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@15V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@15V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@15V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@15V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@15V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@15V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@15V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@15V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@15V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
输入电容:2557pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:78A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:39W
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
连续漏极电流:65A
漏源电压:30V
包装方式:Reel
阈值电压:1.1V
功率:39W
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:2.8nC
导通电阻:10.8mΩ
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@15V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@15V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@15V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: