采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：65A
类型：MOSFET
导通电阻：10.8mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：1.1V
栅极电荷：2.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：65A
类型：MOSFET
导通电阻：10.8mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：1.1V
栅极电荷：2.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：65A
类型：MOSFET
导通电阻：10.8mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：1.1V
栅极电荷：2.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：65A
类型：MOSFET
导通电阻：10.8mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：65A
类型：MOSFET
导通电阻：10.8mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
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栅极电荷：25nC@4.5V
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输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
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ECCN：EAR99
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输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：65A
类型：MOSFET
导通电阻：10.8mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
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输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：65A
类型：MOSFET
导通电阻：10.8mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：65A
类型：MOSFET
导通电阻：10.8mΩ
漏源电压：30V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：1.1V
栅极电荷：2.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：65A
类型：MOSFET
导通电阻：10.8mΩ
漏源电压：30V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：65A
类型：MOSFET
导通电阻：10.8mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：65A
类型：MOSFET
导通电阻：10.8mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
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输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
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栅极电荷：25nC@4.5V
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连续漏极电流：78A
类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
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栅极电荷：25nC@4.5V
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连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
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栅极电荷：25nC@4.5V
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连续漏极电流：78A
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导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
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栅极电荷：25nC@4.5V
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连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
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连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
输入电容：2557pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：78A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
功率：39W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT
连续漏极电流：65A
漏源电压：30V
包装方式：Reel
阈值电压：1.1V
功率：39W
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：2.8nC
导通电阻：10.8mΩ
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：1.1V
栅极电荷：2.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：65A
类型：MOSFET
导通电阻：10.8mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM038N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@15V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
