采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R650CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@210µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R650CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA50R500CE
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：8，"18+"：267，"19+"：565}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R650CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K5CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：322，"9999"：369}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R650CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：9.9A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：185500，"MI+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU60R1K5CEBKMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：13978，"9999"：423}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA50R500CEXKSA2
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R650CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@210µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS65R1K5CEAKMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：225pF@100V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R650CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：13978，"9999"：423}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA50R500CEXKSA2
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R650CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K5CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS65R1K5CEAKMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：225pF@100V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R650CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@210µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA50R500CEXKSA2
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN7R0-150LBEZ
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.1V@5mA
栅极电荷：7.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@85V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@10A，5V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA50R500CEXKSA2
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN7R0-150LBEZ
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.1V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@85V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@10A，5V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN50R500CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN50R500CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：5156，"15+"：30620，"16+"：19574，"9999"：57}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS65R1K5CEAKMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：225pF@100V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R650CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@210µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA50R500CE
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN50R500CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN7R0-150LBEZ
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.1V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@85V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@10A，5V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN65R650CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：10.1A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN7R0-150LBEZ
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.1V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@85V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@10A，5V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN7R0-150LBEZ
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.1V@5mA
栅极电荷：7.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@85V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@10A，5V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
