销售单位:个
规格型号(MPN):STD13NM60ND
工作温度:150℃
功率:109W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:24.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:845pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:109W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5057pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD13NM60ND
工作温度:150℃
功率:109W
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输入电容:845pF@50V
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类型:N沟道
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD13NM60ND
工作温度:150℃
功率:109W
阈值电压:5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:845pF@50V
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类型:N沟道
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漏源电压:600V
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品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:109W
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类型:N沟道
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品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:109W
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD13NM60ND
工作温度:150℃
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:109W
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ECCN:EAR99
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":15120}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:109W
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:109W
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP13NM60ND
工作温度:-55℃~150℃
功率:109W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:24.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:845pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:109W
阈值电压:2.15V@1mA
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栅极电荷:77.9nC@10V
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":15120}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:109W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77.9nC@10V
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输入电容:5057pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:109W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:77.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5057pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:109W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:77.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5057pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:109W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:77.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5057pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:109W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5057pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:109W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:77.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5057pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:109W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5057pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP13NM60ND
工作温度:-55℃~150℃
功率:109W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:24.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:845pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:109W
阈值电压:2.15V@1mA
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栅极电荷:77.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:109W
阈值电压:2.15V@1mA
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:109W
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栅极电荷:77.9nC@10V
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连续漏极电流:100A
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导通电阻:1.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":15120}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:109W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5057pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:109W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5057pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:109W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5057pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP13NM60ND
工作温度:-55℃~150℃
功率:109W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:24.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:845pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD13NM60ND
工作温度:150℃
功率:109W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:24.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:845pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:109W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:529pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: