品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J771G,LF
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@3A,8.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J771G,LF
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@3A,8.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J771G,LF
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@3A,8.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EMH2314-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.2W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:37mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J771G,LF
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@3A,8.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J771G,LF
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@3A,8.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":617700,"14+":6000,"15+":47000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EMH2314-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.2W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:37mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J771G,LF
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@3A,8.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J771G,LF
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@3A,8.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J771G,LF
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@3A,8.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J771G,LF
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@3A,8.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":617700,"14+":6000,"15+":47000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EMH2314-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.2W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:37mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J771G,LF
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@3A,8.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J771G,LF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
功率:1.2W
栅极电荷:9.8nC@4.5V
输入电容:870pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1.2V@1mA
漏源电压:20V
导通电阻:31mΩ@3A,8.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J771G,LF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
功率:1.2W
栅极电荷:9.8nC@4.5V
输入电容:870pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1.2V@1mA
漏源电压:20V
导通电阻:31mΩ@3A,8.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
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