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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
输入电容：888pF@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
功率：1.2W
栅极电荷：11.05nC@4.5V
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
功率：1.2W
连续漏极电流：2A
输入电容：330pF@50V
导通电阻：280mΩ@2A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
输入电容：888pF@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
功率：1.2W
栅极电荷：11.05nC@4.5V
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
输入电容：888pF@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
功率：1.2W
栅极电荷：11.05nC@4.5V
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2312
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.05nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@10V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@6.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
