品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS840CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1031pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@7.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF10N40D-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:526pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L26AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.2V@10µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:26mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ260DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.1nC€13.3nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24.7A€24.6A
类型:MOSFET
导通电阻:24.5mΩ€24.7mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L26AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.2V@10µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:26mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":18500}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R299CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@440µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA11N65C3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:3.9V
栅极电荷:45nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:11A
类型:MOSFET
导通电阻:380mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R099C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:4V@490µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1819pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@9.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA90R800C3XKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@460µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@4.1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L-26
功率:33W
阈值电压:2.2V@10μA
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:26mΩ@10V,17A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA093N06N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:4V@34µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3900pF@30V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA093N06N3 G
功率:33W
阈值电压:4V@34μA
连续漏极电流:43A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.3mΩ@10V,40A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA12N60E-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:937pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN020-30MLCX
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:31.8A
类型:N沟道
导通电阻:18.1mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF7N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.25Ω@3.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L26AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.2V@10µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:26mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF140N6F7
工作温度:175℃
功率:33W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDW93CFP
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):12A
功率:33W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@100mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":500,"21+":950}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA11N60C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:3.9V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5N20LT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@50µA
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:242pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@2.5A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5N20LT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@50µA
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:242pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@2.5A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":34475,"23+":167816,"24+":74929,"MI+":5567}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L26ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.2V@10µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:26mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":22500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU50R2K0CEAKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:124pF@100V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@600mA,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA15N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1093pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@7.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5N20LT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@50µA
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:242pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@2.5A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":33,"21+":500,"24+":2860,"9999":88}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA50R250CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@520µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1420pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: