品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7216DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN70R750P7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3.5V@70µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:306pF@400V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@1.4A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7216DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7216DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7216DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7216DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7216DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7216DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN70R750P7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3.5V@70µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:306pF@400V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@1.4A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7216DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7216DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7216DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7216DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT105N10F
功率:20.8W
阈值电压:1.7V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7216DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7216DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7216DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7216DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7216DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN70R750P7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3.5V@70µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:306pF@400V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@1.4A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7216DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN70R750P7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3.5V@70µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:306pF@400V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@1.4A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7216DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7216DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7216DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7216DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7216DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7216DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7216DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7216DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: