品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB95R130PFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:3.5V@1.25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4170pF@400V
连续漏极电流:36.5A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@25.1A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPBE65R050CFD7AATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.24mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4975pF@400V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@24.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPBE65R050CFD7AATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.24mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4975pF@400V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@24.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:5.7V@7.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1527pF@800V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@16A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86367-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4840pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPBE65R050CFD7AATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.24mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4975pF@400V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@24.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R050CFD7AATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.24mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4975pF@400V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@24.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:5.7V@7.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1527pF@800V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@16A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R040C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@1.24mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4340pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@24.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:5.7V@7.5mA
栅极电荷:46nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1527pF@800V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@16A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R041CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.24mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4975pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@24.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB95R130PFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:3.5V@1.25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4170pF@400V
连续漏极电流:36.5A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@25.1A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R045C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@1.25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4340pF@400V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@24.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86567-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB95R130PFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:3.5V@1.25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4170pF@400V
连续漏极电流:36.5A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@25.1A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R040CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4351pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@24.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPBE65R050CFD7AATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.24mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4975pF@400V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@24.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86567-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:5.7V@7.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1527pF@800V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@16A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R040C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@1.24mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4340pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@24.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:5.7V@7.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1527pF@800V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@16A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:5.7V@7.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1527pF@800V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@16A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R050CFD7AATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.24mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4975pF@400V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@24.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB17N80C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:3.9V@1mA
栅极电荷:177nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@11A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB95R130PFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:3.5V@1.25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4170pF@400V
连续漏极电流:36.5A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@25.1A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB95R130PFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:3.5V@1.25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4170pF@400V
连续漏极电流:36.5A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@25.1A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB17N80C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:3.9V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:177nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@11A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB95R130PFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:3.5V@1.25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4170pF@400V
连续漏极电流:36.5A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@25.1A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9407L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB099N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@740μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.48nF@400V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: