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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG11N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG11N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG11N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:804pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG11N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG11N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG11N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:804pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC109N10NS3GATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC109N10NS3GATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:3.5V@45µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:63A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@46A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5 起订1个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5 起订1个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65D5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC265N10LSFGATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC265N10LSFGATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC265N10LSFGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:2.4V@43µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@50V

    连续漏极电流:6.5A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD11N80AE-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD11N80AE-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD11N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:804pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD6N65E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD6N65E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD6N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:820pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD7N60E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD7N60E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD7N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:680pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHU7N60E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHU7N60E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHU7N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:680pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH7446TRPBF 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH7446TRPBF 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH7446TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:3.9V@100µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3174pF@25V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R712MD,L1Q 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R712MD,L1Q 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R712MD,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:78W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:182nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10900pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.7mΩ@30A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC252N10NSF G 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC252N10NSF G 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):5000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC252N10NSF G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:78W

    阈值电压:2V

    栅极电荷:17nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:40A

    类型:MOSFET

    导通电阻:19.5mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB812PBF 起订834个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB812PBF 起订834个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":165,"16+":635,"20+":15600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB812PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:810pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2Ω@2.2A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH5200FNH,L1Q 起订5000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH5200FNH,L1Q 起订5000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH5200FNH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@100V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@13A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB11N80AE-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB11N80AE-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB11N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:804pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6144 起订6个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6144 起订6个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6144

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3780pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC196N10NSGATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC196N10NSGATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC196N10NSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@42µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@50V

    连续漏极电流:8.5A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:19.6mΩ@45A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC196N10NSGATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC196N10NSGATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC196N10NSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@42µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@50V

    连续漏极电流:8.5A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:19.6mΩ@45A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N65E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N65E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP6N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:820pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH5200FNH,L1Q 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH5200FNH,L1Q 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH5200FNH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@100V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@13A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH5200FNH,L1Q 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH5200FNH,L1Q 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH5200FNH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@100V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@13A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6144 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6144 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6144

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3780pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 MSC360SMA120B 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 MSC360SMA120B 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC360SMA120B

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:78W

    阈值电压:3.14V@500µA

    栅极电荷:21nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:255pF@1000V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65T 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65T 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65T

    功率:78W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:360mΩ@10V,5.5A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH5200FNH,L1Q 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH5200FNH,L1Q 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH5200FNH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@100V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@13A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD7N60E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD7N60E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD7N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:680pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC196N10NSGATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC196N10NSGATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC196N10NSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@42µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@50V

    连续漏极电流:8.5A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:19.6mΩ@45A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6144 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6144 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6144

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3780pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N65E-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N65E-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP6N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:820pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC265N10LSFGATMA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC265N10LSFGATMA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC265N10LSFGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:2.4V@43µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@50V

    连续漏极电流:6.5A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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