品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG045N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:4.3V@8mA
栅极电荷:105nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@325V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG045N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:4.3V@8mA
栅极电荷:105nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@325V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP5800
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9160pF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075033K3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP5800
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9160pF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7S1R5-40HJ
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6712pF@25V
连续漏极电流:260A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG045N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:4.3V@8mA
栅极电荷:105nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@325V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7S1R5-40HJ
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6712pF@25V
连续漏极电流:260A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7S1R5-40HJ
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6712pF@25V
连续漏极电流:260A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7S1R5-40HJ
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6712pF@25V
连续漏极电流:260A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP5800
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9160pF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075033K4S
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075033K4S
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG045N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:4.3V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@325V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7S1R5-40HJ
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6712pF@25V
连续漏极电流:260A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UnitedSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ3C065030B3
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:51nC@15V
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@50A,12V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP5800
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9160pF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG045N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:4.3V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@325V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG045N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:4.3V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@325V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075033K4S
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7S1R5-40HJ
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6712pF@25V
连续漏极电流:260A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG045N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:4.3V@8mA
栅极电荷:105nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@325V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075033K3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP5800
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9160pF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075033K3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075033K4S
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG045N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:4.3V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@325V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075033K4S
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075033K4S
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG045N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:4.3V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@325V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: