品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD3N50D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3.2Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD3N50D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3.2Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD3N50D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3.2Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD3N50D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3.2Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD3N50D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3.2Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD3N50D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3.2Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD3N50D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3.2Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD3N50D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3.2Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD3N50D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3.2Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD3N50D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3.2Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:CREE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M1000170D
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@20V
包装方式:管件
输入电容:191pF@1000V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@2A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD3N50D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3.2Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD3N50D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3.2Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD3N50D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3.2Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:CREE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M1000170D
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@20V
包装方式:管件
输入电容:191pF@1000V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@2A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:CREE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M1000170D
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@20V
包装方式:管件
输入电容:191pF@1000V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@2A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存: