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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y153-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：6.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：716pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：146mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y153-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：6.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：716pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：146mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI520GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@4.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y153-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：6.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：716pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：146mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9520GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y153-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：716pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：146mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y153-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：716pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：146mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI520GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@4.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y153-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：716pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：146mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI520GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@4.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y153-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：6.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：716pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：146mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9520GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y153-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：6.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：716pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：146mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9520GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y153-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：716pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：146mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y153-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：6.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：716pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：146mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y153-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：716pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：146mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y153-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：716pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：146mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
