品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26P3LLH6
工作温度:175℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF45N65M5
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3375pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@19.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF43N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:93mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@9A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:7.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF45N65M5
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3375pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@19.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF21N90K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@100V
连续漏极电流:18.5A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@9A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP14NK60ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2220pF@25V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF35N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:14.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF21N90K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@100V
连续漏极电流:18.5A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@9A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF21N90K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@100V
连续漏极电流:18.5A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@9A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BD677
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK80ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@4.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF42N60M2-EP
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2370pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:87mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF21N90K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@100V
连续漏极电流:18.5A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@9A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BD678
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BD677
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF42N60M2-EP
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2370pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:87mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BD678
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF25N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:19.5A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@19.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF21N90K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@100V
连续漏极电流:18.5A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@9A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@9A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:7.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK80ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@4.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BD679
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BD680
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@30mA,1.5A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@1.5A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存: