采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUT200N08S5N023ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：3.8V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7670pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C604NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：287A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70060E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3808STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5310pF@25V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@82A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1405STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5480pF@25V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@101A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75639G3
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@56A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"00+"：1425，"18+"：364，"95+"：700}
包装规格(MPQ)：400psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFP064N
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@59A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1010EPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3210pF@25V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75639G3
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@56A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB3307PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5150pF@50V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@75A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1404ZSPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4340pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3415PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@22A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1405STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5480pF@25V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@101A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75639P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@56A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB3307PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5150pF@50V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@75A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75639S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@56A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@24A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1405STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5480pF@25V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@101A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC080SMA120B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@20V
包装方式：管件
输入电容：838pF@1000V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@15A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP12N50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：200W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1830pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF4905STRL
工作温度：-55℃~150℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@42A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP140N8F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6340pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@45A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C604NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：52nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：287A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：667}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7619-100B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：125}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL3803PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5000pF@25V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@71A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP110N8F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9130pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@55A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3808STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5310pF@25V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@82A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1404ZPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4340pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75339P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@75A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF4905S
工作温度：-55℃~150℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@42A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
