销售单位:个
规格型号(MPN):AO3162
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:4.1V@8µA
栅极电荷:0.15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6pF@25V
连续漏极电流:34mA
类型:N沟道
导通电阻:500Ω@16mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFL4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:128.6pF@25V
连续漏极电流:2.11A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:195mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTQD6968NR2
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@16V
连续漏极电流:6.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT616MLSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:13.6nC@10V
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3160E
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:3.2V@8µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@25V
连续漏极电流:40mA
类型:N沟道
导通电阻:500Ω@16mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3162
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:4.1V@8µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6pF@25V
连续漏极电流:34mA
类型:N沟道
导通电阻:500Ω@16mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3160
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:3.2V@8µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15pF@25V
连续漏极电流:40mA
类型:N沟道
导通电阻:500Ω@16mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFL4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:128.6pF@25V
连续漏极电流:2.11A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:195mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3162
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:4.1V@8µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6pF@25V
连续漏极电流:34mA
类型:N沟道
导通电阻:500Ω@16mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFL4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:128.6pF@25V
连续漏极电流:2.11A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:195mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTQD6968NR2
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@16V
连续漏极电流:6.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT616MLSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:13.6nC@10V
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3160E
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:3.2V@8µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@25V
连续漏极电流:40mA
类型:N沟道
导通电阻:500Ω@16mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT616MLSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:13.6nC@10V
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3160E
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:3.2V@8µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@25V
连续漏极电流:40mA
类型:N沟道
导通电阻:500Ω@16mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3160
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:3.2V@8µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15pF@25V
连续漏极电流:40mA
类型:N沟道
导通电阻:500Ω@16mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3160E
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:3.2V@8µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@25V
连续漏极电流:40mA
类型:N沟道
导通电阻:500Ω@16mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3162
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:4.1V@8µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6pF@25V
连续漏极电流:34mA
类型:N沟道
导通电阻:500Ω@16mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3162
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:4.1V@8µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6pF@25V
连续漏极电流:34mA
类型:N沟道
导通电阻:500Ω@16mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFL4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:128.6pF@25V
连续漏极电流:2.11A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:195mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTQD6968NR2
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@16V
连续漏极电流:6.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3160
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:3.2V@8µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15pF@25V
连续漏极电流:40mA
类型:N沟道
导通电阻:500Ω@16mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3416A
功率:1.39W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:10nC
输入电容:1.3nF
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:88pF
导通电阻:13mΩ@4.5V,7.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3162
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:4.1V@8µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6pF@25V
连续漏极电流:34mA
类型:N沟道
导通电阻:500Ω@16mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3160
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:3.2V@8µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15pF@25V
连续漏极电流:40mA
类型:N沟道
导通电阻:500Ω@16mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT616MLSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:13.6nC@10V
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3162
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:4.1V@8µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6pF@25V
连续漏极电流:34mA
类型:N沟道
导通电阻:500Ω@16mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3160E
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:3.2V@8µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@25V
连续漏极电流:40mA
类型:N沟道
导通电阻:500Ω@16mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":8000,"MI+":5575}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTQD6968NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@16V
连续漏极电流:6.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: