品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8457DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:93nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@6V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:5.9A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:5.9A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:5.9A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:5.9A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:5.9A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8457DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:93nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@6V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:5.9A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8457DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:93nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@6V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8487DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2240pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8487DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2240pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:5.9A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8457DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:93nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@6V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:5.9A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8487DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2240pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:5.9A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8457DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:93nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@6V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8487DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2240pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8457DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:93nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@6V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8487DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2240pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8487DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2240pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: