销售单位：个

规格型号(MPN)：G100N03D5

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：38nC@10V

输入电容：5.595nF@50V

连续漏极电流：100A

类型：1个N沟道

反向传输电容：659pF@50V

导通电阻：2.5mΩ@10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"12+"：3945，"13+"：144192，"22+"：555}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDD6N25TM

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：6nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：250pF@25V

连续漏极电流：4.4A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.1Ω@2.2A，10V

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC100N06LS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：45nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：50A

类型：MOSFET

导通电阻：7.8mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC100N06LS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：45nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：50A

类型：MOSFET

导通电阻：7.8mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：3V

栅极电荷：25nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：8.8mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MOT5N50C

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：18nC@10V

输入电容：625pF@25V

连续漏极电流：5A

类型：1个N沟道

反向传输电容：15pF@25V

导通电阻：1.2Ω@10V，2.5A

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MOT100N03MD

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：50nC@5V

输入电容：2.5nF@15V

连续漏极电流：100A

类型：1个N沟道

反向传输电容：300pF@10V

导通电阻：3.4mΩ@10V，20A

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MOT4N65C

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：19nC@10V

输入电容：520pF@25V

连续漏极电流：4A

类型：1个N沟道

反向传输电容：13pF@25V

导通电阻：2.41Ω@10V，2A

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MOT4N65C

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：19nC@10V

输入电容：520pF@25V

连续漏极电流：4A

类型：1个N沟道

反向传输电容：13pF@25V

导通电阻：2.41Ω@10V，2A

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MOT4N65C

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：19nC@10V

输入电容：520pF@25V

连续漏极电流：4A

类型：1个N沟道

反向传输电容：13pF@25V

导通电阻：2.41Ω@10V，2A

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：G300P06T

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：49nC@10V

输入电容：2.736nF@30V

连续漏极电流：40A

类型：1个P沟道

反向传输电容：153pF@30V

导通电阻：25mΩ@10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"12+"：3945，"13+"：144192，"22+"：555}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDD6N25TM

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：6nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：250pF@25V

连续漏极电流：4.4A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.1Ω@2.2A，10V

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC100N06LS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：45nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：50A

类型：MOSFET

导通电阻：7.8mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ100N06LS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：45nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：7.7mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC100N06LS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：45nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：50A

类型：MOSFET

导通电阻：7.8mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC100N06LS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：45nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：50A

类型：MOSFET

导通电阻：7.8mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：G100N03D5

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：38nC@10V

输入电容：5.595nF@50V

连续漏极电流：100A

类型：1个N沟道

反向传输电容：659pF@50V

导通电阻：2.5mΩ@10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHFR9310-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：4V

栅极电荷：13nC

连续漏极电流：1.8A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：400V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：3V

栅极电荷：25nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：8.8mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ100N06LS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：45nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：7.7mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MOT100N03MD

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：50nC@5V

输入电容：2.5nF@15V

连续漏极电流：100A

类型：1个N沟道

反向传输电容：300pF@10V

导通电阻：3.4mΩ@10V，20A

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDD6N25TM

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：5V@250μA

栅极电荷：6nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：250pF@25V

连续漏极电流：4.4A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.1Ω@2.2A，10V

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MOT100N03MD

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：50nC@5V

输入电容：2.5nF@15V

连续漏极电流：100A

类型：1个N沟道

反向传输电容：300pF@10V

导通电阻：3.4mΩ@10V，20A

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MOT100N03MD

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：50nC@5V

输入电容：2.5nF@15V

连续漏极电流：100A

类型：1个N沟道

反向传输电容：300pF@10V

导通电阻：3.4mΩ@10V，20A

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MOT100N03MC

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：50nC@5V

输入电容：2.5nF@15V

连续漏极电流：100A

类型：1个N沟道

反向传输电容：300pF@10V

导通电阻：3.4mΩ@10V，20A

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：19+

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC059N04LS G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：40nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：73A

类型：MOSFET

导通电阻：4.9mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MDT4N65

工作温度：-55℃~+150℃

功率：50W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：15nC@10V

输入电容：545pF@25V

连续漏极电流：4A

类型：1个N沟道

反向传输电容：8pF@25V

导通电阻：2Ω@10V，1A

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"12+"：3945，"13+"：144192，"22+"：555}

规格型号(MPN)：FDD6N25TM

包装方式：卷带（TR）

类型：1个N沟道

功率：50W

漏源电压：250V

阈值电压：5V@250μA

栅极电荷：6nC@10V

工作温度：-55℃~+150℃

导通电阻：1.1Ω@2.2A，10V

连续漏极电流：4.4A

输入电容：250pF@25V

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：5000psc

规格型号(MPN)：BSC100N06LS3 G

包装方式：Reel

导通电阻：7.8mΩ

栅极电荷：45nC

漏源电压：60V

功率：50W

连续漏极电流：50A

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：1.2V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：5000psc

规格型号(MPN)：BSC100N06LS3 G

包装方式：Reel

导通电阻：7.8mΩ

栅极电荷：45nC

漏源电压：60V

功率：50W

连续漏极电流：50A

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：1.2V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1