首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    行业应用
    功率
    规格型号(MPN)
    晶体管类型
    直流增益(hFE@Ic,Vce)
    集电极电流(Ic)
    集射极击穿电压(Vceo)
    漏源电压
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)
    连续漏极电流
    行业应用: 工业
    功率: 175W
    当前匹配商品:60+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB070AN06A0 起订800个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB070AN06A0 起订800个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB070AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:15A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB070AN06A0 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB070AN06A0 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB070AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:15A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCT20N120 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 SCT20N120 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT20N120

    工作温度:-55℃~200℃

    功率:175W

    阈值电压:3.5V@1mA

    栅极电荷:45nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:650pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订120个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订120个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB070AN06A0 起订10个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB070AN06A0 起订10个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB070AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:15A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB47N10S33ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB47N10S33ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":77000,"MI+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB47N10S33ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:4V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@33A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订25个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订25个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCT20N120 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 SCT20N120 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT20N120

    工作温度:-55℃~200℃

    功率:175W

    阈值电压:3.5V@1mA

    栅极电荷:45nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:650pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB070AN06A0 起订10个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB070AN06A0 起订10个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB070AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:15A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCT20N120 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 SCT20N120 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT20N120

    工作温度:-55℃~200℃

    功率:175W

    阈值电压:3.5V@1mA

    栅极电荷:45nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:650pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB070AN06A0 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB070AN06A0 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB070AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:15A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订5个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订5个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCT20N120H 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 SCT20N120H 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT20N120H

    工作温度:-55℃~200℃

    功率:175W

    阈值电压:3.5V@1mA

    栅极电荷:45nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP070AN06A0 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP070AN06A0 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP070AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:15A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB070AN06A0 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB070AN06A0 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB070AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:15A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip 达林顿管 2N6287 起订3个装
    Microchip 达林顿管 2N6287 起订3个装

    品牌:Microchip

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):1psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N6287

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):20A

    功率:175W

    集电集截止电流(Icbo):1mA

    工作温度:65℃~175℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@200mA,20A

    包装方式:散装

    晶体管类型:PNP

    直流增益(hFE@Ic,Vce):1500@1A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip 达林顿管 2N6287 起订5个装
    Microchip 达林顿管 2N6287 起订5个装

    品牌:Microchip

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):1psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N6287

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):20A

    功率:175W

    集电集截止电流(Icbo):1mA

    工作温度:65℃~175℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@200mA,20A

    包装方式:散装

    晶体管类型:PNP

    直流增益(hFE@Ic,Vce):1500@1A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB070AN06A0 起订100个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB070AN06A0 起订100个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB070AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:15A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订30个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订30个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP070AN06A0 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP070AN06A0 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP070AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:15A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip 达林顿管 JANTX2N6284 起订100个装
    Microchip 达林顿管 JANTX2N6284 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):1psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):JANTX2N6284

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):20A

    功率:175W

    集电集截止电流(Icbo):1mA

    工作温度:65℃~200℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@200mA,20A

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):1250@10A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCT20N120 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 SCT20N120 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT20N120

    工作温度:-55℃~200℃

    功率:175W

    阈值电压:3.5V@1mA

    栅极电荷:45nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:650pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCT20N120 起订250个装
    ST Mosfet场效应管 SCT20N120 起订250个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT20N120

    工作温度:-55℃~200℃

    功率:175W

    阈值电压:3.5V@1mA

    栅极电荷:45nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:650pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订3个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订3个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB070AN06A0 起订100个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB070AN06A0 起订100个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB070AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:15A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB47N10S33ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB47N10S33ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":77000,"MI+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB47N10S33ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:4V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@33A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧