品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4025LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1643pF@20V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4025LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1643pF@20V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LK3Q-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:59.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85302LT
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:59.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6180SK3Q-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:17.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:984.7pF@30V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLMS1902TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXP018-30QLJ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@15V
连续漏极电流:7.5A€19.2A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22206W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.05V@250µA
栅极电荷:14.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2275pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6180SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:17.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:984.7pF@30V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85302L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4015SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:14A€45A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4850EY-T1-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLMS1503TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON5820
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1510pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:9.5mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V€870pF@15V
连续漏极电流:6.1A€6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85302LT
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:59.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4800}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6802SDTRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@35µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@13V
连续漏极电流:16A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.2mΩ@16A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4850EY-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):8-SOIC
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4485
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1025UFDB-7
功率:1.7W
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:8.8A
类型:2个N沟道
导通电阻:25mΩ@4.5V,5.2A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V€870pF@15V
连续漏极电流:6.1A€6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3050LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@15V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22204W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:24.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1130pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:9.9mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3050LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@15V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V€870pF@15V
连续漏极电流:6.1A€6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: