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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT004N03LATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：163nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24000pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@150A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1600，"MI+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0630N1507L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9895pF@75V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1213}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPTC019N10NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：3.8V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@50V
连续漏极电流：31A€279A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP330P10NMAKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：4V@5.55mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：236nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11000pF@50V
连续漏极电流：6.9A€62A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@53A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0165N807L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：304nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23660pF@40V
连续漏极电流：310A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0105N407L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：291nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23100pF@20V
连续漏极电流：460A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPTC019N10NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：3.8V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@50V
连续漏极电流：31A€279A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT015N10NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：3.8V@267µA
栅极电荷：242nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@50V
连续漏极电流：35A€315A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@150A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT015N10NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：3.8V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：242nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@50V
连续漏极电流：35A€315A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@150A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT004N03LATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：163nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24000pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@150A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPTC014N08NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：3.8V@230µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@40V
连续漏极电流：37A€330A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB38N20DPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1513，"23+"：257}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP330P10NMAKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：4V@5.55mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：236nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11000pF@50V
连续漏极电流：6.9A€62A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@53A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP330P10NMAKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：4V@5.55mA
栅极电荷：236nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11000pF@50V
连续漏极电流：6.9A€62A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@53A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0165N807L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：304nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23660pF@40V
连续漏极电流：310A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1670}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB330P10NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：4V@5.55mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：236nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@50V
连续漏极电流：6.9A€62A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@53A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：576}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT015N10NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：3.8V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：242nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@50V
连续漏极电流：35A€315A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@150A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT004N03LATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：163nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24000pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@150A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0165N807L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：304nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23660pF@40V
连续漏极电流：310A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT015N10NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：3.8V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：242nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@50V
连续漏极电流：35A€315A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@150A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB38N20DPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT004N03LATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：163nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24000pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@150A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0630N1507L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9895pF@75V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT004N03LATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：163nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24000pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@150A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT015N10NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：3.8V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：242nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@50V
连续漏极电流：35A€315A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@150A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPTC014N08NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：3.8V@230µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@40V
连续漏极电流：37A€330A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：28436，"23+"：59066，"24+"：311}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT004N03LATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：163nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24000pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@150A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT004N03LATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：163nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24000pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@150A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP016N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：3.8V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12000pF@40V
连续漏极电流：35A€196A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1600，"MI+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0630N1507L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9895pF@75V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
