采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R3VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：12.5W
阈值电压：900mV
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：17.5A
类型：MOSFET
导通电阻：19mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R3VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：12.5W
阈值电压：900mV
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：17.5A
类型：MOSFET
导通电阻：19mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R3VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：12.5W
阈值电压：900mV
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：17.5A
类型：MOSFET
导通电阻：19mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R3VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：12.5W
阈值电压：900mV
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：17.5A
类型：MOSFET
导通电阻：19mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P04LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2783pF@20V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H21DHE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：4.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：21Ω@300mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H21DHE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：4.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：21Ω@300mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P04LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2783pF@20V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H21DHE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：4.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：21Ω@300mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R3VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：12.5W
阈值电压：900mV
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：17.5A
类型：MOSFET
导通电阻：19mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R3VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：12.5W
阈值电压：900mV
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：17.5A
类型：MOSFET
导通电阻：19mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H21DHE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：4.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：21Ω@300mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P04LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2783pF@20V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P04LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2783pF@20V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H21DHE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：4.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：21Ω@300mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H21DHE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：4.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：21Ω@300mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P04LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2783pF@20V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H21DHE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：4.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：21Ω@300mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P04LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2783pF@20V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"3L+"：25000}
包装规格(MPQ)：601psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK03M6DNS-00#J5
功率：12.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：1.19nF@10V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P04LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2783pF@20V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H21DHE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：4.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：21Ω@300mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R3VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：12.5W
阈值电压：900mV
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：17.5A
类型：MOSFET
导通电阻：19mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R3VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：12.5W
阈值电压：900mV
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：17.5A
类型：MOSFET
导通电阻：19mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P04LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2783pF@20V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H21DHE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：4.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：21Ω@300mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H21DHE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：4.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：21Ω@300mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
