品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP15N65M5
工作温度:150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:810pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB23NM50N
工作温度:150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK1835-E
工作温度:150℃
功率:125W
包装方式:管件
输入电容:1700pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@2A,15V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP142
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP142
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP142
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB23NM50N
工作温度:150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB23NM50N
工作温度:150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147FTU
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK1835-E
工作温度:150℃
功率:125W
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:1700pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@2A,15V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK1835-E
工作温度:150℃
功率:125W
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:1700pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@2A,15V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":4000,"18+":2333}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0603DPN-E0#T2
工作温度:150℃
功率:125W
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4150pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":4000,"18+":2333}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0603DPN-E0#T2
工作温度:150℃
功率:125W
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4150pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1200}
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0603DPN-A0#T2
工作温度:150℃
功率:125W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4150pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"17+":1080}
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147FTU
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP142
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP142
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP142
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB23NM50N
工作温度:150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB23NM50N
工作温度:150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存: