品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDP6060
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ST901T
集射极击穿电压(Vceo):350V
集电极电流(Ic):4A
功率:100W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@20mA,2A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1800@2A,2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PHP23NQ11T,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:830pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@13A,10V
漏源电压:110V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":15500,"19+":12484}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI50N12S3L15AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4180pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP1R6N50D2
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
栅极电荷:23.7nC@5V
包装方式:管件
输入电容:645pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@800mA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP1R6N100D2
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:管件
输入电容:645pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@800mA,0V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP1R6N50D2
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
栅极电荷:23.7nC@5V
包装方式:管件
输入电容:645pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@800mA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":10268,"17+":275,"22+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI50N10S3L16AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4180pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15.7mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":13937}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP16CN10LGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.4V@61µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4190pF@50V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:15.7mΩ@54A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDP6060
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP4N80P
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:5.5V@100µA
栅极电荷:14.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK1317-E
工作温度:150℃
功率:100W
包装方式:管件
输入电容:990pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@2A,15V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK1317-E
工作温度:150℃
功率:100W
包装方式:管件
输入电容:990pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@2A,15V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK1317-E
工作温度:150℃
功率:100W
包装方式:管件
输入电容:990pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@2A,15V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDP6060
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP1R6N50D2
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
栅极电荷:23.7nC@5V
包装方式:管件
输入电容:645pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@800mA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK1317-E
工作温度:150℃
功率:100W
包装方式:管件
输入电容:990pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@2A,15V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":900,"12+":4200,"13+":9224,"9999":1476}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6414AN-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDP6060
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":260,"22+":5,"23+":3500}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP16CN10NGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@61µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@50V
连续漏极电流:53A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@53A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP4N80P
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:5.5V@100µA
栅极电荷:14.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: