品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C668NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:49A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M33-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:10.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M33-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:10.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M33-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:10.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C668NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:49A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:8.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M33-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:10.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C668NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:49A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M33-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:10.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M33-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:10.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C668NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:49A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:8.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M33-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:10.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C668NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:49A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT30N06L
工作温度:-55℃~+175℃
功率:44W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:66pF@25V
导通电阻:25mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT20N06
工作温度:-55℃~+175℃
功率:44W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:66pF@25V
导通电阻:25mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT30N06L
工作温度:-55℃~+175℃
功率:44W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:66pF@25V
导通电阻:25mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR1205TR
功率:44W
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT20N06
工作温度:-55℃~+175℃
功率:44W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:66pF@25V
导通电阻:25mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT20N06
工作温度:-55℃~+175℃
功率:44W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:66pF@25V
导通电阻:25mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT20N06
工作温度:-55℃~+175℃
功率:44W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:66pF@25V
导通电阻:25mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR1205TR
功率:44W
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C668NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:8.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:49A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: